Tepat sebelum proses pembungkusan, kelembapan yang masih tinggal selepas pembersihan tidak akan tetap berada di situ sahaja – ia boleh meresap ke dalam bahan pelindung tersebut. Ini akan mengubah nilai CTE, dan seterusnya menyebabkan masalah delaminasi pada masa akan datang. Jika anda masih menggunakan kaedah pemanasan konvensional, anda pasti tahu betapa sukarnya untuk mengawal kelembapan di bahagian tepi wafer, serta masalah yang timbul akibat penghasilan zarah-zarah kecil. Anda memerlukan proses pengeringan dan pemprosesan fotoresist yang bersih, boleh diulang, dan mampu mengawal suhu dengan tepat.
Apa yang benar-benar penting
Kita menggunakan gelombang NIR pendek bersama pemancar kuarsa yang diselaraskan dengan panjang gelombang yang sesuai untuk menyerap air dan pelarut. Ini membolehkan pemanasan yang cepat tanpa merosakkan bahan organik. Di permukaan wafer, tahap keseragaman suhu dapat dikekalkan pada ±0.1°C, manakala kadar perubahan suhu pula dikawal dalam lingkungan ±0.5°C/s. Platform ini sesuai digunakan di bilik bersih kelas 1–100. Kita juga dapat memastikan tiada zarah kecil yang terbentuk, dengan kadar kurang dari 0.1 μm setiap 0.35 μm/min. Proses pengeringan dan pemprosesan fotoresist dapat dilakukan secara konsisten dari satu kumpulan produk ke kumpulan produk yang lain, sehingga dimensi penting wafer dapat dikawal dengan baik.
Mengapa ini sangat berguna dalam proses prapembungkusan
Dalam fasiliti prapembungkusan, prosesnya agak mudah: pengeringan wafer, kemudian pemprosesan fotoresist. Penggunaan NIR membantu mengurangkan penggunaan tenaga, memendekkan masa pemprosesan, dan mengurangkan kelembapan yang tertinggal. Hasilnya, proses menjadi lebih cepat, kelembapan berkurangan, dan jumlah produk yang gagal diminimumkan. Oleh kerana platform yang sama digunakan untuk proses pengeringan dan pemprosesan fotoresist, proses pengesahan menjadi lebih mudah, dan keperluan alat ganti juga berkurangan.
Apa yang perlu dipelajari melalui pengalaman
Penggunaan NIR memerlukan reka bentuk yang sesuai agar cahaya dapat sampai ke permukaan wafer dengan baik. Jarak antara pemancar dan kepadatan tenaga juga perlu disesuaikan dengan saiz wafer dan lapisan filem yang digunakan. Kita perlu menyesuaikan parameter-proses tersebut bersama-sama. Lakukan ujian awal untuk menentukan kadar perubahan suhu dan masa yang diperlukan. Setelah itu, prosesnya akan berjalan dengan lancar tanpa masalah.