Lâmpada infravermelha para aquecimento em epitaxia

Thu, 25 Jun 2026 01:08:06 +0800

Na linha de produção, um wafer de 200 mm espera sua vez para ser tratado com fotoresista. O processo de aquecimento não é opcional – é uma exigência técnica. Qualquer variação de temperatura, mesmo que seja pequena, pode afetar as dimensões críticas do wafer. Nesse caso, o processo fica inviabilizado. Para evitar isso, utilizamos lâmpadas infravermelhas para o aquecimento, garantindo assim controle preciso da temperatura.

Tecnicamente, o que importa é o uso de emissores de infravermelho de onda curta para um aquecimento rápido e direto. Esse tipo de luz penetra bem no silício e nos filmes finos. O sistema mantém a uniformidade térmica do wafer dentro de ±0,1°C em toda a área de processamento, e a reprodutibilidade fica entre ±0,2°C de ciclo para ciclo.

Epitaxia on Warm IR Heating Hardware

Lâmpada infravermelha para aquecimento em epitaxia