<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Epitaxie on Warm IR Heating Hardware</title>
		<link>http://warm-ir-heater-ware.com/nl/tags/epitaxie/</link>
		<description>Recent content in Epitaxie on Warm IR Heating Hardware</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>nl</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Thu, 25 Jun 2026 01:08:06 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://warm-ir-heater-ware.com/nl/tags/epitaxie/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Epitaxieverwarming infraroodlamp</title>
				<link>http://warm-ir-heater-ware.com/nl/posts/epitaxy-heating-infrared-lamp/</link>
				<pubDate>Thu, 25 Jun 2026 01:08:06 +0800</pubDate>
				<guid>http://warm-ir-heater-ware.com/nl/posts/epitaxy-heating-infrared-lamp/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://warm-ir-heater-ware.com/images/016cf4f616aaa15e4af48856b8adc51b.png&#34; alt=&#34;Epitaxieverwarming infraroodlamp&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Op de productielijn wacht een 200 mm grote wafer op zijn beurt om behandeld te worden met fotorezist. Het verhitten is geen optie – het maakt deel uit van de specificaties. Zelfs een kleine temperatuurverandering kan er toe leiden dat de belangrijke dimensies van de wafer veranderen. Dan is het proces niet meer mogelijk. We hebben voor de verwarming van de epitaxiale laag infraroodlampen gebruikt, zodat deze verliezen worden voorkomen.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Wat technisch gezien belangrijk is:&#xA;We gebruiken kortegolf-infraroodquartzhalogeenemitters voor snel en rechtstreeks stralingsverwarming. Het spectrum van deze lampen dringt gemakkelijk door tot in silicium en dunne lagen. Het systeem zorgt ervoor dat de temperatuur over het hele gebied waar de wafer wordt verwerkt binnen ±0,1°C blijft. De herhaalbaarheid ligt bij ±0,2°C tussen verschillende batches.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
