Lampada a infrarossi per riscaldamento nell epitassia

Thu, 25 Jun 2026 01:08:06 +0800

Sul banco di lavoro, una wafer da 200 mm attende il proprio turno per essere trattata con il fotorest. Il processo di riscaldamento non è opzionale: fa parte delle specifiche richieste. Anche un piccolo cambiamento di temperatura può influire negativamente sulle dimensioni critiche della wafer. In tal caso, il processo diventa inutile. Per evitare questo problema, abbiamo utilizzato lampade a infrarossi per il riscaldamento, in modo da ridurre al minimo le perdite termiche.

Dal punto di vista tecnico, è importante utilizzare emettitori a infrarossi a lunghezza d’onda corta per ottenere un riscaldamento rapido e diretto. Lo spettro luminoso emesso dalle lampade penetra efficacemente nel silicio e nei film sottili. Il sistema garantisce un’omogeneità termica entro ±0,1°C nell’intera zona di lavorazione; inoltre, la ripetibilità del processo rimane entro ±0,2°C tra un ciclo e l’altro.

Epitassi on Warm IR Heating Hardware

Lampada a infrarossi per riscaldamento nell epitassia