Epitaxie Heizung mit Infrarotlampe

Thu, 25 Jun 2026 01:08:06 +0800

Auf der Produktionslinie wartet ein 200-mm-Wafer darauf, mit Photoresist behandelt zu werden. Das Erhitzen des Wafers ist keine Option – es ist eine Notwendigkeit. Selbst geringfügige Temperaturunterschiede von einem Bruchteil eines Grades führen dazu, dass die kritischen Abmessungen des Wafers verändert werden. Dadurch wird der gesamte Prozess gestoppt. Wir nutzen Infrarotlampen zur Erwärmung des Wafers, um solche Verluste an der Quelle zu vermeiden.

Was technisch wichtig ist: Wir verwenden Kurzwellen-Infrarot-Quarzlampen für eine schnelle, direkte Strahlungsheizung. Das Spektrum dieser Lampen dringt effektiv in Silizium und dünne Schichten ein. Das System gewährleistet eine thermische Homogenität im Bereich von ±0,1°C über die gesamte Prozesszone hinweg. Die Wiederholgenauigkeit liegt bei ±0,2°C zwischen den verschiedenen Chargen.

Epitaxie on Warm IR Heating Hardware

Epitaxie Heizung mit Infrarotlampe