Ngay trước khi đóng gói, bất kỳ hơi ẩm còn sót lại sau quá trình làm sạch cũng không thể chỉ đứng yên một chỗ – chúng có thể xâm nhập vào lớp vật liệu bảo vệ. Điều này sẽ làm thay đổi giá trị CTE, và gây ra nguy cơ tách rời các lớp vật liệu trong tương lai. Nếu bạn vẫn sử dụng các bảng điều nhiệt thông thường, bạn sẽ gặp phải nhiều khó khăn: việc kiểm soát các điểm nóng trên bề mặt wafer rất khó khăn, và việc tạo ra các hạt nhỏ cũng là một vấn đề nghiêm trọng. Bạn cần có quy trình sấy khô và xử lý bằng chất chống chiếu xạ một cách hiệu quả, đồng thời đảm bảo tính nhất quán trong quá trình xử lý.
Những yếu tố quan trọng trong quy trình này
Chúng tôi sử dụng ánh sáng NIR bước sóng ngắn từ các bộ phát quang bằng thạch anh, được điều chỉnh sao cho phù hợp với băng tần hấp thụ của nước và dung môi. Phương pháp này giúp làm nóng bề mặt wafer một cách nhanh chóng, mà không làm hư hại các chất hữu cơ. Độ đồng đều trên bề mặt wafer được duy trì ở mức ±0,1°C, và tốc độ thay đổi nhiệt độ được kiểm soát ở mức ±0,5°C/giây. Thiết bị này có thể được sử dụng trong các phòng sạch loại 1–100, và chúng tôi có thể đảm bảo rằng không có hạt nào có kích thước dưới 0,1 μm được tạo ra, với tốc độ 0,35 μm/phút. Quy trình sấy khô và xử lý bằng chất chống chiếu xạ luôn được thực hiện một cách nhất quán từ lô này sang lô khác, nhờ đó việc kiểm soát các kích thước quan trọng của wafer vẫn được đảm bảo.
Tại sao phương pháp này lại hiệu quả trong quy trình tiền đóng gói
Trong quy trình tiền đóng gói, công việc diễn ra khá đơn giản: sấy khô wafer, sau đó xử lý bằng chất chống chiếu xạ. Ánh sáng NIR giúp giảm thời gian xử lý, đồng thời giảm mức tiêu thụ năng lượng. Kết quả là quy trình diễn ra nhanh hơn, hơi ẩm còn sót lại ít hơn, và tỷ lệ sản phẩm bị lỗi do các vấn đề liên quan đến hơi ẩm hay dung môi cũng giảm xuống.
Những điều cần lưu ý
Ánh sáng NIR chỉ có thể hoạt động trong phạm vi tầm nhìn, vì vậy bạn cần sử dụng các thiết bị phản xạ ánh sáng và đảm bảo wafer được đặt ở vị trí phù hợp để duy trì độ đồng đều. Khoảng cách giữa các bộ phát quang và mật độ năng lượng cũng cần được điều chỉnh sao cho phù hợp với kích thước wafer và lớp vật liệu bảo vệ. Chúng tôi sẽ cùng bạn xây dựng quy trình phù hợp. Bạn cần thực hiện một vài lần thử nghiệm để điều chỉnh tốc độ thay đổi nhiệt độ và thời gian xử lý. Một khi mọi thứ đã được điều chỉnh xong, quy trình sẽ diễn ra một cách ổn định.