Proprio prima dell’imballaggio, l’umidità rimasta dopo la pulizia non rimane semplicemente lì: può migrare all’interno dell’involucro che protegge il wafer. Questo causa variazioni nel coefficiente di espansione termica, aumentando così il rischio di delaminazione in seguito. Inoltre, se si utilizzano ancora piastre riscaldanti tradizionali, si hanno problemi legati alla formazione di grumi lungo i bordi del wafer, oltre a una generazione di particelle indesiderate. È quindi necessario utilizzare metodi di essiccazione e trattamento termico precisi e ripetibili.
Cosa è davvero importante
Utilizziamo radiazioni infrarosse a breve lunghezza d’onda, emesse da generatori in quarzo, ottimizzati per interfacciarsi con le bande di assorbimento dell’acqua e dei solventi. Questo permette un riscaldamento rapido sotto la superficie del wafer, senza danneggiare i materiali organici presenti su di esso. Sulla superficie attiva del wafer, l’uniformità è mantenuta entro ±0,1°C; inoltre, i tempi di riscaldamento sono controllati entro ±0,5°C/s. La piattaforma è adatta per ambienti puliti di classe 1–100; inoltre, è possibile verificare che non vi siano particelle inferiori a 0,1 μm, a un tasso di 0,35 μm/min. I profili di riscaldamento rimangono costanti da lotti a lotti, garantendo così un controllo preciso delle dimensioni critiche del wafer.
Perché questo sistema funziona bene nella fase di pre-imballaggio
Nella fase di pre-imballaggio, il flusso di lavoro è semplice: essiccazione del wafer, seguita dal trattamento e dalla polimerizzazione del fotoresist. Le radiazioni infrarosse riducono il consumo energetico e accorciano i tempi di riscaldamento. Il risultato è un ciclo di lavorazione più veloce, con meno umidità residua e meno difetti legati ai grumi o ai solventi residui. Poiché la stessa piattaforma viene utilizzata sia per l’essiccazione che per il riscaldamento, la validazione del processo diventa più semplice e i ricambi necessari sono ridotti.
Le cose che si imparano a proprie spese
Le radiazioni infrarosse richiedono che i componenti utilizzati siano riflettenti e che il wafer venga posizionato correttamente, altrimenti non sarà possibile ottenere un’uniformità desiderata. La distanza tra i generatori e la densità di potenza devono essere adeguati alle dimensioni del wafer e dello strato di pellicola presente su di esso. Per questo motivo, lavoriamo insieme per definire le impostazioni ottimali. È necessario effettuare dei test iniziali per regolare i tempi di riscaldamento. Una volta stabiliti questi parametri, il processo funziona senza alcun problema.