Tepat sebelum proses pengemasan, kelembapan yang masih tersisa setelah proses pembersihan tidak akan tetap berada di tempatnya saja—kelembapan tersebut dapat meresap ke dalam lapisan pelindungnya. Hal ini akan mengubah nilai CTE, sehingga meningkatkan risiko terjadinya delaminasi di masa depan. Jika Anda masih menggunakan pemanas konvensional, maka Anda akan menghadapi masalah seperti pembentukan gelembung di tepi wafer, serta masalah partikel yang sulit diatasi. Anda membutuhkan proses pengeringan dan perlakuan panas yang efektif, akurat, dan dapat diulangi berulang kali.
Apa yang benar-benar penting dalam proses ini
Kami menggunakan sinar NIR berfrekuensi pendek dengan emitor kuarsa, yang disesuaikan dengan rentang penyerapan air dan pelarut. Cara ini memungkinkan pemanasan yang cepat tanpa merusak bahan organik. Di permukaan wafer, tingkat keseragaman suhu tetap stabil pada kisaran ±0,1°C, sedangkan laju perubahan suhu dikendalikan pada kisaran ±0,5°C/detik. Platform ini cocok digunakan di ruang bersih kelas 1–100. Kami juga dapat memastikan bahwa tidak ada partikel yang terbentuk, dengan ukuran kurang dari 0,1 μm, pada laju 0,35 μm/menit. Prosedur pengeringan dan perlakuan panas yang digunakan dapat diulangi berulang kali, sehingga kontrol dimensi kritis tetap terjaga sesuai spesifikasi.
Mengapa cara ini efektif untuk proses pra-pengemasan
Dalam proses pra-pengemasan, urutannya cukup sederhana: pengeringan wafer, kemudian proses pemrosesan dan pengerasan lapisan fotoresist. Penggunaan sinar NIR membantu mengurangi kebutuhan energi, mempersingkat waktu pengeringan, dan mengurangi kelembapan yang tersisa. Hasilnya adalah siklus yang lebih cepat, kelembapan yang lebih sedikit, serta produk yang lebih berkualitas. Karena platform yang sama digunakan untuk proses pengeringan dan perlakuan panas, maka proses validasi menjadi lebih mudah, dan jumlah suku cadang yang diperlukan pun berkurang.
Hal-hal yang perlu diperhatikan
Sinar NIR hanya dapat bekerja jika ada jalur pandang yang jelas, sehingga diperlukan alat reflektif dan orientasi wafer yang tepat agar keseragaman suhu dapat terjaga. Jarak antara emitor dan daya yang digunakan harus disesuaikan dengan ukuran wafer dan lapisan filmnya. Kami bekerja sama untuk menentukan parameter yang tepat. Siapkan waktu uji coba singkat untuk menyesuaikan laju perubahan suhu dan waktu pengeringan. Setelah itu, prosesnya akan berjalan secara stabil tanpa gangguan.